而在很多人的認(rèn)識中，制造7nm及以下的芯片，必須使用EUV光刻機(jī)，并且似乎已經(jīng)成為了大家的共識。

那么問題來了，不用EUV光刻機(jī)，就真的制造不出7nm這樣的芯片么?其實(shí)還真不是的，不用EUV光刻機(jī)，制造出7nm的芯片，甚至理論上來說，5nm芯片都是可行的。

大家回憶一下，2018年華為海思的麒麟980采用的是什么工藝?華為當(dāng)時表示，這是全球首發(fā)臺積電7nm工藝的一款芯片。

而2019年，華為發(fā)布麒麟990時，表示這是臺積電第二代7nm工藝，是采用7nm EUV工藝，著重強(qiáng)調(diào)了EUV。

為什么第一代不強(qiáng)調(diào)下EUV，第二代才強(qiáng)調(diào)下?從這個細(xì)節(jié)可以看出來，臺積電長一代7nm，其實(shí)并沒有使用EUV工藝。

事實(shí)上，在7nm時，臺積電有3種工藝，分別是、N7、N7P、7nm EUV(N7+)。除了7nm EUV，另外兩種均是使用DUV。

為此，臺積電還專門開發(fā)了多重曝光技術(shù)，這個足以說明，不使用EUV光刻機(jī)，一樣是可以生產(chǎn)出7nm芯片了吧。

另外我還給大家上一個圖，這是5代光刻機(jī)的演進(jìn)路線圖，DUV是指采用193nm波長的浸潤式光刻機(jī)，通過水的折射，最終波長縮短為134nm，NA值為1.35。

從圖上也可以看出來，DUV這種光刻機(jī)，在進(jìn)行多重曝光后，可以實(shí)現(xiàn)7nm的光刻精度。

同時大家不知道的是，就算是當(dāng)前的5nm、4nm芯片，臺積電和三星，也只是將EUV應(yīng)用于少數(shù)層，而浸入式DUV也會用于部分層，在7nm以下，DUV和EUV仍是要聯(lián)合使用的。

所以沒有EUV光刻機(jī)，制造7nm芯片，并不是什么稀奇的事情。

甚至按著臺積電多重曝光技術(shù)的演進(jìn)，用DUV制造5nm芯片，都是有可能的。只是多重曝光，會影響晶圓的良率，從而導(dǎo)致制造成本過高。

而一旦良率過低，是沒法規(guī)模量產(chǎn)的，只能是試驗(yàn)性的使用。