而在很多人的認(rèn)識中,制造7nm及以下的芯片,必須使用EUV光刻機(jī),并且似乎已經(jīng)成為了大家的共識。
那么問題來了,不用EUV光刻機(jī),就真的制造不出7nm這樣的芯片么?其實(shí)還真不是的,不用EUV光刻機(jī),制造出7nm的芯片,甚至理論上來說,5nm芯片都是可行的。
大家回憶一下,2018年華為海思的麒麟980采用的是什么工藝?華為當(dāng)時表示,這是全球首發(fā)臺積電7nm工藝的一款芯片。
而2019年,華為發(fā)布麒麟990時,表示這是臺積電第二代7nm工藝,是采用7nm EUV工藝,著重強(qiáng)調(diào)了EUV。
為什么第一代不強(qiáng)調(diào)下EUV,第二代才強(qiáng)調(diào)下?從這個細(xì)節(jié)可以看出來,臺積電長一代7nm,其實(shí)并沒有使用EUV工藝。
事實(shí)上,在7nm時,臺積電有3種工藝,分別是、N7、N7P、7nm EUV(N7+)。除了7nm EUV,另外兩種均是使用DUV。
為此,臺積電還專門開發(fā)了多重曝光技術(shù),這個足以說明,不使用EUV光刻機(jī),一樣是可以生產(chǎn)出7nm芯片了吧。
另外我還給大家上一個圖,這是5代光刻機(jī)的演進(jìn)路線圖,DUV是指采用193nm波長的浸潤式光刻機(jī),通過水的折射,最終波長縮短為134nm,NA值為1.35。
從圖上也可以看出來,DUV這種光刻機(jī),在進(jìn)行多重曝光后,可以實(shí)現(xiàn)7nm的光刻精度。
同時大家不知道的是,就算是當(dāng)前的5nm、4nm芯片,臺積電和三星,也只是將EUV應(yīng)用于少數(shù)層,而浸入式DUV也會用于部分層,在7nm以下,DUV和EUV仍是要聯(lián)合使用的。
所以沒有EUV光刻機(jī),制造7nm芯片,并不是什么稀奇的事情。
甚至按著臺積電多重曝光技術(shù)的演進(jìn),用DUV制造5nm芯片,都是有可能的。只是多重曝光,會影響晶圓的良率,從而導(dǎo)致制造成本過高。
而一旦良率過低,是沒法規(guī)模量產(chǎn)的,只能是試驗(yàn)性的使用。
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